对比图
型号 IRF1607PBF IRFB3077PBF IRF1607
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFB3077PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 80V 142A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 380 W 370 W 380W (Tc)
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 142A 210A 142A
输入电容(Ciss) 7750pF @25V(Vds) 9400pF @50V(Vds) 7750pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 380W (Tc) 370W (Tc) 380W (Tc)
额定功率 380 W 370 W -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 7.5 mΩ 0.0033 Ω -
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 - 9400 pF -
漏源击穿电压 75 V 75 V -
上升时间 130 ns 87 ns -
额定功率(Max) 380 W 370 W -
下降时间 86 ns 95 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 4.83 mm 4.82 mm -
高度 16.51 mm 9.02 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -