BCW33LT3G和SBCW33LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW33LT3G SBCW33LT1G BCW33LT1G

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管SOT-23 NPN 32V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BCW33LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 32.0 V - 32.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 800

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 420

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

长度 3.04 mm - 2.9 mm

宽度 2.64 mm - 1.3 mm

高度 1.11 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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