IRG4BC30UDPBF和IXGH12N90C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC30UDPBF IXGH12N90C HGTG12N60C3D

描述 INFINEON  IRG4BC30UDPBF  单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 900V 24A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-247FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG12N60C3D  单晶体管, IGBT, 24 A, 1.8 V, 104 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 100 W - 104 W

针脚数 3 - 3

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 100 W 100000 mW 104 W

输入电容 1100 pF - -

上升时间 21.0 ns - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 900 V 600 V

热阻 80 ℃/W - -

反向恢复时间 42 ns - 42 ns

额定功率(Max) 100 W 100 W 104 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW 104000 mW

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 24.0 A

长度 10.54 mm 16.26 mm 15.87 mm

宽度 4.69 mm 5.3 mm 4.82 mm

高度 8.77 mm 21.46 mm 20.82 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台