对比图
描述 TO-220 NPN 100V 6ANPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 65 W 65 W 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 6A 6A 6A
最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 65000 mW 2000 mW 2000 mW
频率 - 3 MHz 3 MHz
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 6.00 A 6.00 A
针脚数 - 3 3
增益频宽积 - 3 MHz -
热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -
直流电流增益(hFE) - 3 15
最大电流放大倍数(hFE) - - 75
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.28 mm 10.67 mm
宽度 - 4.83 mm 4.83 mm
高度 - 15.75 mm 16.51 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99