R1LV0108ESN-5SI#B0和R1LV0108ESN-5SI#S0

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1LV0108ESN-5SI#B0 R1LV0108ESN-5SI#S0

描述 SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32Pin SOP T/R

数据手册 --

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32

封装 SOP-32 SOP-32

位数 8 8

存取时间(Max) 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

时钟频率 1 MHz -

封装 SOP-32 SOP-32

长度 20.95 mm -

宽度 11.5 mm -

高度 2.85 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 3A991 3A991

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