PSMN005-30K和PSMN005-30K/T3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN005-30K PSMN005-30K/T3 PSMN005-30K,518

描述 NXP  PSMN005-30K  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4.4 mohm, 10 V, 3 VSmall Signal Field-Effect TransistorMOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 - SOIC-8

漏源极电阻 4.4 mΩ - 4.4 mΩ

耗散功率 3.5 W - 3.5 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

上升时间 16 ns - 16 ns

输入电容(Ciss) - - 3100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 3.5 W

下降时间 45 ns - 45 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 3.5W (Tc)

针脚数 8 - -

极性 N-Channel - -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A - -

封装 SOIC-8 - SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.45 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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