对比图
描述 150V N沟道PowerTrench MOSFET的 150V N-Channel PowerTrench MOSFETSO N-CH 150V 3.5A
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SO-8 SOIC-8
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 3.5 W
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.5A
上升时间 7 ns 17 ns
输入电容(Ciss) - 1310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.5 W
下降时间 21 ns 30 ns
耗散功率(Max) - 3.5W (Tc)
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
漏源极电阻 80.0 Ω -
漏源击穿电压 150 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
封装 SO-8 SOIC-8
长度 4.9 mm -
宽度 3.9 mm -
高度 1.75 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - -
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free