对比图
型号 IRGP4078D-EPBF IXGH48N60C3D1
描述 IGBT 晶体管 600V IGBT w/ Ultra-Low VFTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 278 W 300000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 - 25 ns
额定功率(Max) 278 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 278000 mW 300000 mW
额定功率 278 W -
封装 TO-247-3 TO-247-3
长度 15.87 mm -
宽度 5.31 mm -
高度 20.7 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99