M25P80-VMW6G和M25P80-VMW6TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M25P80-VMW6G M25P80-VMW6TP M25P80-VMW6

描述 8兆位,低电压,串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface8兆位,低电压,串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface8兆位,低电压,串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 SOP SOP SOIC-8

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 8

内存容量 8000000 B - 8000000 B

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - - 40.0 MHz, 40.0 MHz (max)

存取时间 - - 40.0 µs

电源电压 - - 2.7V ~ 3.6V

封装 SOP SOP SOIC-8

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

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