FQI6N60和IRF840LCL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQI6N60 IRF840LCL SPI07N60C3

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETMOSFET N-CH 500V 8A TO-2627.3A, 600V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-262 TO-262-3 TO-262

安装方式 - Through Hole -

封装 TO-262 TO-262-3 TO-262

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

耗散功率 - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -

漏源极电压(Vds) - 500 V -

输入电容(Ciss) - 1100pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

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