IS61LV12816L-10BI-TR和IS61LV12816L-10BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61LV12816L-10BI-TR IS61LV12816L-10BLI-TR

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 48Pin mBGA T/R静态随机存取存储器 2Mb 128Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 BGA-48 BGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

位数 16 16

存取时间 10.0 ns 10 ns

内存容量 2000000 B 2000000 B

存取时间(Max) 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

封装 BGA-48 BGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台