BLF147和MRF173

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF147 MRF173 BLF147,112

描述 VHF功率MOS晶体管 VHF power MOS transistorN沟道宽带射频功率MOSFET N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETBlf147 - Vhf功率Mos晶体管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) M/A-Com NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Flange Surface Mount Screw

封装 - 211-11 SOT-121

引脚数 - 4 -

频率 - 150 MHz 108 MHz

额定电流 25.0 A 9 A 25 A

阈值电压 - 3 V 4.5 V

输出功率 - 80 W 150 W

增益 18.0 dB 13 dB 14 dB

耗散功率 - 220 W -

漏源击穿电压 65.0V (min) 65 V -

测试电流 - 50 mA -

输入电容(Ciss) - 110pF @28V(Vds) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

耗散功率(Max) - 220000 mW -

额定电压 - 65 V -

电源电压(DC) 28.0 V - -

额定电压(DC) 65.0 V - -

漏源极电压(Vds) 65.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A - -

封装 - 211-11 SOT-121

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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