1N4112-1和JAN1N4112-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4112-1 JAN1N4112-1 JANTX1N4112-1

描述 DO-35 18V 0.5W(1/2W)硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

引脚数 - - 2

耗散功率 500 mW - 480 mW

稳压值 18 V 18 V 18 V

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

测试电流 - - 0.25 mA

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

长度 - - 3.7 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bag

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - - EAR99

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