2N6301和JAN2N6301

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6301 JAN2N6301 BD677A

描述 PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORTrans Darlington NPN 80V 8A 75000mW 3Pin(2+Tab) TO-66STMICROELECTRONICS  BD677A  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-66 TO-66 TO-126-3

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 4.00 A

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

耗散功率 75 W 75 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 60 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 750 @2A, 3V

额定功率(Max) - - 40 W

直流电流增益(hFE) - - 750

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW 75000 mW 40000 mW

长度 - - 7.8 mm

宽度 - - 2.7 mm

高度 - - 10.8 mm

封装 TO-66 TO-66 TO-126-3

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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