对比图
型号 IRFZ24NPBF IRFZ44ZPBF IRFZ24N,127
描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFZ44ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 45 W 80 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.07 Ω 0.0139 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 45 W 80 W 45W (Tc)
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 370 pF 1420pF @25V -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 55 V -
连续漏极电流(Ids) 17A 51A -
上升时间 34 ns 68 ns -
输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 1420pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)
下降时间 27 ns 41 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 45W (Tc) 80W (Tc) 45W (Tc)
通道数 1 - -
额定功率(Max) 45 W - -
长度 10 mm 10.67 mm -
高度 8.77 mm 8.77 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 4.4 mm - -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -