TLE2061ACDR和TLE2061AID

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2061ACDR TLE2061AID TLE2061ACD

描述 神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLE2061AID  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLE2061ACD  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 290 µA 290 µA 290 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K

带宽 1.80 MHz 1.8 MHz 1.8 MHz

转换速率 3.40 V/μs 3.40 V/μs 3.40 V/μs

增益频宽积 2 MHz 1.8 MHz 1.8 MHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压(DC) - 18.0 V 18.0 V

输出电流 - ≤80 mA ≤80 mA

针脚数 - 8 8

增益带宽 - 2 MHz 2 MHz

共模抑制比(Min) - 65 dB 65dB ~ 70dB

电源电压(Max) - - 36V ~ 37V

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

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