对比图
型号 6MBI50L-060 MWI50-06A7 MWI75-06A7
描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 250000mW 19Pin Case M-616MWI50 系列 600 Vce 72 A 50 ns t(on) IGBT 模块 SixPackTrans IGBT Module N-CH 600V 90A 280000mW 18Pin E2
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Chassis Screw
引脚数 - 18 18
封装 - E2 E2
正向电压 - 1.6 V -
耗散功率 - 225000 mW 280000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V
输入电容(Cies) - 2.8nF @25V 3.2nF @25V
额定功率(Max) - 225 W 280 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 225000 mW 280000 mW
封装 - E2 E2
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99