BSS139 H6327和BSS139H6327XTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS139 H6327 BSS139H6327XTSA1

描述 INFINEON  BSS139 H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 mA, 250 V, 30 ohm, 10 V, -1.4 VINFINEON  BSS139H6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 250 V, 7.8 ohm, 10 V, 1.4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 - 0.36 W

针脚数 3 3

漏源极电阻 30 Ω 7.8 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 360 mW 360 mW

阈值电压 1.4 V 1.4 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) - 0.1A

上升时间 5.4 ns 5.4 ns

输入电容(Ciss) 76pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)

下降时间 182 ns 182 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360 mW 360 mW

通道数 1 -

额定功率(Max) 360 mW -

长度 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -

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