TLV27L1CDG4和TLV27L1ID

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV27L1CDG4 TLV27L1ID TLV27L1IDR

描述 Op Amp Single GP R-R O/P ±8V/16V 8Pin SOIC TubeBiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLV27L1IDR  运算放大器, 单路, 160 kHz, 1个放大器, 0.06 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - 0.4mA @2.7V 0.4mA @2.7V

供电电流 7 µA 7 µA 7 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 - - 8

耗散功率 0.71 W 0.71 W 710 mW

共模抑制比 71 dB 71 dB 71 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K

带宽 160 kHz 160 kHz 160 kHz

转换速率 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs

增益频宽积 160 kHz 160 kHz 0.16 MHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 5 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 0.06 nA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 160 kHz 0.16 MHz

耗散功率(Max) - 710 mW 710 mW

共模抑制比(Min) - 71 dB 71 dB

电源电压(Max) - - 16 V

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台