PBSS4240V和PBSS4240V,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4240V PBSS4240V,115 934057074115

描述 NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsSOT-666 NPN 40V 2ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-666 SOT-563 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1.2 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 2A 2A -

最小电流放大倍数(hFE) 75 300 @500mA, 5V -

直流电流增益(hFE) 300 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1200 mW - -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 @1mA, 5V -

额定功率(Max) - 900 mW -

长度 1.7 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.6 mm - -

封装 SOT-666 SOT-563 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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