IDT6116LA55DB和IDT6116SA55DGB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA55DB IDT6116SA55DGB 8403611JA

描述 CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.6INCH, CERAMIC, DIP-24Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Pyramid

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Unknown Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 3A001 - -

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