IRFR024NTRLPBF和IRFR024TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR024NTRLPBF IRFR024TRPBF IRFR024NTRRPBF

描述 INFINEON  IRFR024NTRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V 新VISHAY  IRFR024TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 55V 17A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.075 Ω 0.1 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 45 W 42 W 45W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A, 17.0 A 14.0 A 17A

上升时间 34 ns 58 ns -

下降时间 27 ns 42 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 17.0 A - -

额定功率 38 W - -

产品系列 IRFR024N - -

输入电容 370 pF - -

漏源击穿电压 55 V - -

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) - 370pF @25V(Vds)

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 45000 mW - 45W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

产品生命周期 Active - Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

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