IPS060N03LGAKMA1和IPS105N03LGAKMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS060N03LGAKMA1 IPS105N03LGAKMA1 IPS06N03LA G

描述 TO-251 N-CH 30V 50ATO-251 N-CH 30V 35AMOSFET N-CH 25V 50A IPAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

额定功率 56 W - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 56 W 38W (Tc) 83W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 50A 35A 50.0 A

上升时间 3 ns - -

输入电容(Ciss) 2400pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 2653pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 56 W - -

下降时间 3 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 56W (Tc) 38W (Tc) 83W (Tc)

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 50.0 A

输入电容 - - 2.65 nF

栅电荷 - - 22.0 nC

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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