对比图
型号 MRF5812 MRF587 MRF586
描述 射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHzRF Small Signal Bipolar Transistor
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com New Jersey Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
封装 SOIC-8 244A-01 -
安装方式 Surface Mount - -
引脚数 8 - -
极性 - NPN -
耗散功率 1250 mW 5 W -
击穿电压(集电极-发射极) 15 V 17 V -
增益 13dB ~ 15.5dB 13 dB -
最小电流放大倍数(hFE) 50 @50mA, 5V 50 @50mA, 5V -
额定功率(Max) 1.25 W - -
耗散功率(Max) 1250 mW - -
封装 SOIC-8 244A-01 -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -