BSZ0904NSI和BSZ0904NSIATMA1

对比图

型号 BSZ0904NSI BSZ0904NSIATMA1 NTTFS4985NFTAG

描述 INFINEON  BSZ0904NSI  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  BSZ0904NSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V功率MOSFET的30 V ， 64 A单娜????通道， WDFN8 Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel, WDFN8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TSDSON-8-FL TSDSON WDFN-8

额定功率 - 37 W -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0033 Ω 0.0033 Ω 3.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 37 W 37 W 2.69 W

阈值电压 2 V 2 V 1.6 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18A 18A -

上升时间 4.4 ns 4.4 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @15V(Vds) 1100pF @15V(Vds) 2075pF @15V(Vds)

下降时间 3 ns 3 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 37W (Tc) 2100 mW 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 30 V

额定功率(Max) 37 W - 1.47 W

长度 3.4 mm 3.4 mm -

宽度 3.4 mm 3.4 mm -

高度 1.1 mm 1.1 mm -

封装 PG-TSDSON-8-FL TSDSON WDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -