IS42S32800D-6BL-TR和IS42S32800J-6BL-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800D-6BL-TR IS42S32800J-6BL-TR

描述 DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA T/R动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 BGA-90 BGA-90

位数 32 32

存取时间 - 5.4 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns -

封装 BGA-90 BGA-90

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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