IXDI602SIATR和IXDI602SITR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI602SIATR IXDI602SITR MCP14E6-E/SN

描述 低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2AMICROCHIP  MCP14E6-E/SN  芯片, MOSFET驱动器, 2A, 8SOIC

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 4.50V (min)

工作电压 - - 4.5V ~ 18V

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns 12ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 - - 2 A

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 699 mW

上升时间 7.5 ns 15 ns 35ns (Max)

下降时间 6.5 ns 15 ns 40ns (Max)

下降时间(Max) - 15 ns 35 ns

上升时间(Max) - 15 ns 30 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - - 669 mW

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 18V

电源电压(Max) - - 18 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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