IS43R16160D-6TL和IS43R16160D-6TL-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43R16160D-6TL IS43R16160D-6TL-TR K4H561638H-UCB3

描述 DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP-IISDRAM, 16M x 16bit, 700ps, 并行接口, TSOP-II-66256Mbit DDR SDRAM 166MHz 66-TSOP - K4H561638H-UCB3

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 66 66 -

封装 TSOP-66 TSOP-66 TSOPⅡ

供电电流 280 mA 280 mA -

时钟频率 166 MHz - 166 MHz

位数 16 16 -

存取时间 6 ns 700 ps -

存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V 2.5 V

电源电压(Max) 2.7 V - -

电源电压(Min) 2.3 V - -

针脚数 - 66 -

封装 TSOP-66 TSOP-66 TSOPⅡ

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Obsolete

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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