199D476X96R3D1V1E3和199D476X96R3D2B1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D476X96R3D1V1E3 199D476X96R3D2B1E3 199D476X06R3D2B1E3

描述 199D 系列 47 uF ±10 % 6.3 V 径向 固体 电解质钽电容CAP TANT 47uF 6.3V 10% RADIALCAP TANT 47uF 6.3V 20% RADIAL

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - -

封装 Radial - -

额定电压(DC) 6.30 V - -

电容 47 µF 47.0 µF 47.0 µF

容差 ±10 % ±10 % ±20 %

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

额定电压 6.3 V 6.3 V 6.3 V

封装 Radial - -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Each Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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