GAL22V10B-10LP和PALCE22V10-10PI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GAL22V10B-10LP PALCE22V10-10PI PALC22V10D-10PC

描述 High Performance E2CMOS PLD, 10ns, low power闪存擦除可再编程的CMOS PAL器件 Flash-erasable Reprogrammable CMOS PAL Device闪存可擦除,可重复编程的CMOS PAL®设备 Flash Erasable, Reprogrammable CMOS PAL㈢ Device

数据手册 ---

制造商 Lattice Semiconductor (莱迪思) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 主动器件

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 24 24

封装 DIP DIP DIP

工作温度(Max) - 85 ℃ 75 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

高度 - 3.56 mm 3.56 mm

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

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