IS42S16400J-7TLI和IS45S16400E-7TLA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16400J-7TLI IS45S16400E-7TLA1 IS42S16400F-7TLI

描述 RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器 3.3vINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS42S16400F-7TLI  存储芯片, SDRAM, IND, 4M X 16, 3V, 54TSOP2

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 54 - 54

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 90 mA - 110 mA

针脚数 54 - 54

位数 16 - -

存取时间 7 ns 7 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 5.4 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

频率 - - 143 MHz

长度 22.42 mm 22.42 mm -

宽度 10.29 mm 10.29 mm -

高度 1.05 mm 1.05 mm -

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Each Tray Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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