对比图
型号 IRF634S IRF634SPBF SIHF634S-GE3
描述 MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAKMOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAKSIHF634S-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 8.1A, 250V, 3Pin D2PAK
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 TO-263-3 TO-263-3 -
耗散功率 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V -
输入电容(Ciss) 770pF @25V(Vds) 770pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) -
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free -