对比图
型号 IRFR4620TRLPBF SUD19N20-90-E3 STD20NF20
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN沟道200 -V （ D- S） 175℃ MOSFET N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFETSTMICROELECTRONICS STD20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 18.0 A
额定功率 - - 110 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.09 Ω 0.125 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 144 W 3 W 90 W
阈值电压 - 4 V 3 V
输入电容 - - 940 pF
栅电荷 - - 28.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 19.0 A 18.0 A
上升时间 - 50 ns 30 ns
正向电压(Max) - - 1.6 V
输入电容(Ciss) 1710pF @50V(Vds) 1800pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 144 W 3 W 90 W
下降时间 - 60 ns 10 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3000 mW 110W (Tc)
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
产品系列 IRFR4620 - -
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
ECCN代码 - - EAR99