对比图
型号 BC856BLT3G YTS3904 BC 856B E6433
描述 PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管General Purpose Applications, 60V, 0.1A, 200mW, B= 1 00~300, >30 0MHz双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
频率 100 MHz - -
额定电压(DC) -65.0 V - -65.0 V
额定电流 -100 mA - -100 mA
额定功率 225 mW - -
针脚数 3 - -
极性 PNP - -
耗散功率 225 mW - 330 mW
击穿电压(集电极-发射极) 65 V - 65 V
集电极最大允许电流 0.1A - -
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V - 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 225 mW - 330 mW
直流电流增益(hFE) 220 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 300 mW - 330 mW
长度 2.9 mm - 2.9 mm
宽度 1.3 mm - 1.3 mm
高度 0.94 mm - 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -