对比图
型号 IRG4PF50W IRG4PH50UDPBF HGTG30N60B3
描述 Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin(3+Tab) TO-247ACCo-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 900 V - 600 V
额定电流 51.0 A - 60.0 A
额定功率 200 W 200 W -
产品系列 IRG4PF50W - -
输入电容 3.30 nF - -
上升时间 26.0 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW 208 W
耗散功率 - 200 W 208 W
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V 600 V
反向恢复时间 - 90 ns -
额定功率(Max) - 200 W 208 W
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.9 mm 15.87 mm
宽度 - 5.3 mm 4.82 mm
高度 - 20.3 mm 20.82 mm
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99