MUN5111DW1T1和PUMB11,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5111DW1T1 PUMB11,115 MUN5111DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsNexperia PUMB11,115 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SC-88-6 SC-70-6 SC-88-6

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 PNP - PNP, P-Channel

耗散功率 250 mW 0.3 W 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA - 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 30 @5mA, 5V 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V - 35 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 300 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 385 mW

长度 2 mm 2.2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm 1 mm 0.9 mm

封装 SC-88-6 SC-70-6 SC-88-6

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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