SGD04N60和SGR6N60UFTM

对比图

型号 SGD04N60 SGR6N60UFTM STGD3NB60HT4

描述 在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 - Surface Mount -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 3.00 A -

耗散功率 - 30.0 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -

额定功率(Max) - 30 W -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -