1N5535B和JANTX1N5535B-1

对比图

型号 1N5535B JANTX1N5535B-1 JAN1N5535B

描述 DO-35 15V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW15 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35 -

引脚数 - 2 -

耗散功率 400 mW 417 mW -

稳压值 15 V 15 V -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 1 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 -

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bag -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - -