BUK7510-100B,127和FDP120N10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7510-100B,127 FDP120N10 2SK3479-AZ

描述 TO-220AB N-CH 100V 110APowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TO-220AB N-CH 100V 83A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 170 W 1.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 110A 74A 83A

上升时间 - 105 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 6773pF @25V(Vds) 5605pF @25V(Vds) 11000pF @10V(Vds)

下降时间 - 15 ns 13 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 170W (Tc) 1500 mW

额定功率(Max) 300 W 170 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0097 Ω -

阈值电压 - 2.5 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 16.51 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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