IRF7501TR和IRF7501TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7501TR IRF7501TRPBF

描述 Micro N-CH 20V 2.4AINFINEON  IRF7501TRPBF.  场效应管, MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 TSSOP-8 Micro-8

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V

额定电流 2.40 A 2.40 A

极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

产品系列 IRF7501 IRF7501

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.40 A 2.40 A

上升时间 24 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 260pF @15V(Vds) 260pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

下降时间 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1250 mW -

额定功率 - 1.2 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.085 Ω

耗散功率 - 1.25 W

阈值电压 - 700 mV

输入电容 - 260 pF

栅电荷 - 8.00 nC

封装 TSSOP-8 Micro-8

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司