BSP299E6327和BSP324E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP299E6327 BSP324E6327 BSP17E6327

描述 Mosfet n-Ch 500V 400mA Sot-223N-channel Sipmos Small-signal TransistorTransistor Sot23 SMD

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 400 mA - -

输入电容 400 pF - -

漏源极电压(Vds) 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 400 mA - -

上升时间 15 ns 4.4 ns -

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 103pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1.8 W - -

下降时间 30 ns 68 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1800 mW 1800 mW -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead - -

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