对比图
型号 BCP56-10T1G BCP56-16T3 BCP5610E6327HTSA1
描述 ON SEMICONDUCTOR BCP56-10T1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 63 hFENPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorSOT-223 NPN 80V 1A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
引脚数 4 - -
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V - 63 @150mA, 2V
额定功率(Max) 1.5 W - 2 W
频率 130 MHz - -
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -
额定电流 1.00 A 1.00 A -
额定功率 1.5 W - -
针脚数 4 - -
耗散功率 1.5 W - -
直流电流增益(hFE) 63 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 1500 mW - -
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
长度 6.7 mm - -
宽度 3.7 mm - -
高度 1.65 mm - -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2016/06/20 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -