IPA80R600P7XKSA1和SPA08N80C3XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA80R600P7XKSA1 SPA08N80C3XKSA1 STF10LN80K5

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.51 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPA08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 VSTF10LN80K5 系列 800 V 8 A 0.63 Ohm N-沟道 MDmesh™ K5 功率 Mosfet-TO-220FP

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.51 Ω 0.65 Ω 0.55 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 28 W 40 W 25 W

阈值电压 3 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) - 8.00 A 8A

上升时间 8 ns 15 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 570pF @500V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 427pF @100V(Vds)

下降时间 10 ns 7 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 28000 mW 40 W 25W (Tc)

额定电压(DC) - 800 V -

额定电流 - 8.00 A -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.65 mm -

宽度 - 4.85 mm -

高度 - 16.15 mm -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99

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