PIP3115-B和PIP3115-B,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIP3115-B PIP3115-B,118 VNP5N07

描述 逻辑电平TOPFET Logic level TOPFETTrans MOSFET N-CH 50V 8A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管FET驱动器

基础参数对比

封装 TO-263 TO-263-3 TO-220-3

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 40.0 W 40 W 31000 mW

输出接口数 - 1 1

上升时间 - 20000 ns 60.0 ns

输出电流(Max) - 8 A 3.5 A

下降时间 - 16000 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

额定电压(DC) - - 70.0 V

额定电流 - - 5.00 A

漏源极电阻 - - 200 mΩ

漏源击穿电压 - - 70.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 5.00 A

输入数 - - 1

耗散功率(Max) - - 31000 mW

封装 TO-263 TO-263-3 TO-220-3

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 9.4 mm -

高度 - 4.5 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台