PUMZ2,115和BZT52H-C5V6,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMZ2,115 BZT52H-C5V6,115 PUMZ2,125

描述 NXP  PUMZ2,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 180 mW, 150 mA, 250 hFE, SOT-363NXP  BZT52H-C5V6,115  单管二极管 齐纳, 5.6 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °CTSSOP NPN+PNP 50V 0.15A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 2 -

封装 SOT-363 SOD-123F TSSOP-6

容差 - ±5 % -

针脚数 6 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 180 mW 375 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 5.6 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) 300 mW 375 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

频率 100 MHz - -

极性 NPN, PNP - NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - 50 V

集电极最大允许电流 0.15A - 0.15A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V - 120 @1mA, 6V

直流电流增益(hFE) 250 - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

封装 SOT-363 SOD-123F TSSOP-6

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

温度系数 - 0.25 MV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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