MMBV2105LT1G和MMBV2107L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBV2105LT1G MMBV2107L MMBV2105LT1

描述 硅调谐二极管 Silicon Tuning DiodesSilicon Tuning DiodeSilicon Tuning Diode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 变容二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 - -

额定电压(DC) 30.0 V - -

电容 15.0 pF - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

封装 SOT-23-3 - -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -

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