1N5624和YG802C04

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5624 YG802C04 UF5402-E3/54

描述 NTE ELECTRONICS 1N5624 Standard Recovery Diode, 200V, 3A, Single, 1.2V, 200ASCHOTTKY BARRIER DIODEVISHAY  UF5402-E3/54  超快速二极管, 3A, 200V DO-210AD

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics FUJI (富士电机) Vishay Semiconductor (威世)

分类 整流二极管整流二极管

基础参数对比

引脚数 2 - 2

封装 DO-27 - DO-201AD

安装方式 - - Through Hole

正向电流 3 A - 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 200 A - 150 A

正向电压(Max) 1.2 V - 1 V

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

正向电压 - - 1V @3A

反向恢复时间 - - 50 ns

正向电流(Max) - - 3 A

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 DO-27 - DO-201AD

长度 - - 9.5 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 5.3 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Each - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

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