IS42SM16800F-75BLI和IS42SM16800G-75BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM16800F-75BLI IS42SM16800G-75BLI IS42VM16800G-75BLI

描述 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 Ball BGA (8mmx8mm) , IT128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 BGA-54 BGA-54 BGA-54

位数 16 16 -

存取时间 6 ns - 7.5 ns

存取时间(Max) 6ns, 8ns 8ns, 6ns 8ns, 6ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

供电电流 - 55 mA 55 mA

电源电压 - 3V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.95V

封装 BGA-54 BGA-54 BGA-54

高度 - 0.8 mm 0.8 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 无铅

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台