BDP950和BDP950-E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDP950 BDP950-E6327 BDP950-E6433

描述 PNP硅自动对焦功率晶体管 PNP Silicon AF Power TransistorsPNP硅自动对焦功率晶体管 PNP Silicon AF Power TransistorsRF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-223-4-10 SOT-223 -

极性 PNP - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V - -

集电极最大允许电流 3A - -

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -3.00 A -

封装 SOT-223-4-10 SOT-223 -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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