1N758D-1和JANTXV1N758D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N758D-1 JANTXV1N758D-1 JAN1N758D-1

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

容差 - ±1 % ±1 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

稳压值 - 10 V 10 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

长度 - 5.08 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 -

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